STMicroelectronics et Soitec vont collaborer dans les substrats en carbure de silicium
01 Décembre 2022 - 08:51AM
Dow Jones News
PARIS (Agefi-Dow Jones)--Le fabricant de semi-conducteurs
franco-italien STMicroelectronics (ST) et le spécialiste des
matériaux semi-conducteurs innovants Soitec ont annoncé jeudi leur
coopération dans la technologie de fabrication de substrats en
carbure de silicium (SiC), qui "permet d'accompagner la transition
vers l'électromobilité, ainsi que d'améliorer l'efficacité
énergétique des systèmes industriels".
"L'objectif de cette coopération, qui porte sur les 18 prochains
mois, est l'adoption par ST de la technologie SmartSiC de Soitec
pour sa fabrication future de substrats en 200 mm destinés à la
production de produits et de modules, avec une production en volume
prévue à moyen terme", ont indiqué les deux groupes dans un
communiqué commun.
"La transition vers des plaquettes SiC en 200 mm apportera des
avantages substantiels à nos clients des secteurs de l'automobile
et de l'industriel qui accélèrent la transition vers
l'électrification de leurs systèmes et de leurs produits. Il est
important de réaliser des économies d'échelle à mesure
qu'augmentent les volumes de produits", a indiqué Marco Monti,
président du groupe produits automobiles et discrets de
STMicroelectronics, cité dans le communiqué.
-Pierre-Jean Lepagnot, Agefi-Dow Jones +33 (0)1 41 27 47 95;
pjlepagnot@agefi.fr ed: VLV
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December 01, 2022 02:31 ET (07:31 GMT)
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