新しいデ�インツールは、システムエンジニアがSuperGaN FETの利点を活用するのをサポートしつつ、二輪車マーケットのデ�イン・インのより速い成長を可能にする

（ビジネスワイヤ） -- トランスフォーム・インク - 堅牢なGaNパワー半導体の世界的リーダー - （ナスダック：TGAN）は、電気自動車（以下「EV」）充電アプリケーション向けに2つの新しいリファレンスデ�インを提供すると発表しました。この300 Wおよび600 Wの定電流/定電圧(CC/CV)バッテリー充電器は、同社の70および150ミリオームのSuperGaN®デバイスを使用して、�争力のあるコストで高効率のAC/DC電力変換を高電力密度で実現します。このリファレンスデ�インは、2輪および3輪EV用の充電器の大量生産を可能にすることを目的としており、その年間販売台数はインドと中国においてそれぞれ1400万台以上および4500万台以上です。また、このリファレンスデ�インは、高速充電、LED調光可能ドライバー、ゲーム機、高性能ノートパソコンなど、さまざまなアプリケーションにも使用できます。

「EVマーケットにおけるGaNの採用は急速に進んでいます。これは主に、炭化シリコンやシリコンなどの代替オプションと比較した場合、コスト効率に優れた高収益の製造プロセスを備えた高密度の技術によって推進されています。」トランスフォームのワールドワイドセールスおよびFAE担当副社長であるトゥシャール・ディアグデはこのように述べています。「特に、当社のSuperGaNデバイスは、特定のシリコンソリューションと比較して、システムおよびデバイスレベルのコストメリットとともに、これらの利点を示すため、2輪車および3輪車で大きな牽引力を達成しています。お客様からの一貫した設計要求に基づいて、次世代車両のパフォーマンスと全体的な使いやすさを向上させるGaNベースのシステムを使用して、車載または非車載チャージャーメーカーがGo-To-Marketを迅速化するのに役立つリファレンスデ�インをリリースできることを嬉しく思います。」

CC/CVとは？

定電流/定電圧（CC/CV）リチウムイオンバッテリー充電方式では、充電の初期段階で定電流を使用し、充電の後期段階でバッテリーが設定された充電レベルに達したときに定電圧に切り替えます。これにより、バッテリーが過充電されることがなくなります。

オープンフレームCC/CV AC-DCバッテリー充電器

300 Wおよび600 Wのリファレンスデ�インは、一般的な力率改善回路（PFC）および共振LLCトポロジーにおけるSuperGaN FETおよびコントローラを組み合わせたもので、LLCは幅広いバッテリー範囲（ゼロからフル充電まで）向けに特別に設計されています。トランスフォームのSuperGaNプラットフォームは、電力システム開発者がPFC+LLCのパフォーマンスポテンシャルを最大化することを可能にし、これらのトポロジーから可能な限り最高の効率性を�争力のあるコストで提供します。

このリファレンスデ�インでは、ファームウェアを必要とするデジタル・コントローラーではなく、純粋なアナログ・コントローラーを使用しています。この構成には、より簡単な設計性と、次のような製品開発の簡素化によるいくつかの利点があります：

  • 開発リソース要�の削減。
  • 開発時間の短縮。
  • 複雑になる可能性のあるファームウェアのプログラミング/メンテナンスの必要性の排除。

注：300 Wリファレンスには、定格出力値より低い出力電流レベルを要求するための追加のPWM入力ポートが含まれており、すべてのバッテリーの要素に対してさらなる柔軟性を可能にします。

主な仕様は次のとおりです。

レファレンスデ�イン

TDAIO-TPH-ON-CCCV-300W-RD

TDAIO-TPH-MPS-CCCV-600W-RD

VAC

90～264

90～264

ワット数

300

600

SuperGaN FET

TP65H070G4PS x 3

TP65H070G4PS x 1 TP65H150G4PS x 2

ドライバー

NCP1654 PFC（オンセミ） NCP1399 LLC （オンセミ）

HR1211（MPS）

ピーク時の効率

95% @ 264 Vac

94.4% @ 264 Vac

スイッチング周波数

最大150 kHz

最大120 kHz

このリファレンスデ�インでは、次のような差別化されたメリットを提供することで知られているトランスフォームのSuperGaN FETを活用しています。

  • +/-20 Vのゲート閾値と4 Vのノイズ耐性による、業界をリードする堅牢性。
  • デバイス周辺に必要な回路の量を減らすことによる、より容易な設計。
  • シリコンデバイスに共通するよく知られた既製のドライバーとの組み合わせが可能なFETによる、より容易な運転性。

レファレンス設計へのアクセス

完全な300 Wおよび600 W CC/CVバッテリーチャージャーのリファレンスデ�インは、現在、トランスフォームから入手できます。技術文書、設計ファイル、ファームウェア、および部品表をダウンロードするには、次のリンクにアクセスしてください：

  • TDAIO-TPH-ON-CCCV-300W-RD：https://www.transphormusa.com/en/reference-design/tdaio-tph-on-cccv-300w-rd/
  • TDAIO-TPH-MPS-CCCV-600W-RD： https://www.transphormusa.com/en/reference-design/tdaio-tph-mps-cccv-600w-rd/

上記のバッテリー充電器の設計精度を確保するには、電力システム開発者は次の設計ガイドも確認してください：

  • LLC出力ステージ付き電源アダプタ用定電流/定電圧(CC/CV)アプリケーション： https://www.transphormusa.com/en/document/design-guide-design-guide-11-constant-current-constant-voltage-application-for-llc/

設計ツールに含まれるSuperGaNデバイスの詳細については、次のリンクにアクセスしてください：

  • TP65H070G4PS TO-220パッケージ内の650 V、72 mOhm GaN FET https://www.transphormusa.com/en/product/tp65h070g4ps/
  • TP65H150G4PS TO-220パッケージ内の650 V、150 mOhm GaN FET https://www.transphormusa.com/en/product/tp65h150g4ps/

トランスフォームについて

GaN革命の世界的リーダーであるトランスフォーム社は、高電圧電力変換用途のための高性能で高い信頼性のあるGaN半導体を設計・製造しています。トランスフォームは、1,000�以上の特許を所有またはライセンスしている最大規模のPower GaN IPポートフォリオの1つを有しており、業界初のJEDECおよびAEC-Q101認定高電圧GaN半導体デバイスを製造しています。同社の垂直統合されたデバイス・ビジネス・モデルは、設計、製造、デバイス、アプリケーション・サポートといったあらゆる開発段階でイノベーションを可能にします。トランスフォームのイノベーションは、パワーエレクトロニクスを、シリコンの限界を�えて、99%以上の効率性、50%以上の電力密度、20%のシステムコスト削減を達成します。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を置き、ゴリータと日本の会津に製造拠点を持っています。詳細については、www.transphormusa.comをご覧ください。また、Twitter（@transphormusa）およびWeChat（@Transporm_GaN）で当社のフォローをお願いします。

SuperGaNのマークは、トランスフォームの登録商標です。その他の商標はすべて、それぞれの所有者に帰属します。

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プレス連絡先： Heather Ailara +1.973.567.6040 heather.ailara@transphormusa.com 投資�連絡先： David HanoverまたはJack Perkins KCSAストラテジック・コミュニケーションズ transphorm@kcsa.com

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